簡(jiǎn)要描述:巴魯夫BALLUFF位移傳感器線繞電位器的電阻體由電阻絲纏繞在絕緣物上構(gòu)成,電阻絲的種類很多,電阻絲的材料是根據(jù)電位器的結(jié)構(gòu)、容納電阻絲的空間、電阻值和溫度系數(shù)來(lái)選擇的。電阻絲越細(xì),在給定空間內(nèi)越獲得較大的電阻值和分辨率。但電阻絲太細(xì),在使用過(guò)程中容易斷開,影響傳感器的壽命。金屬膜電位器具有無(wú)限的分辨率,接觸電阻很小,耐熱性好,巴魯夫BALLUFF位移傳感器的滿負(fù)荷溫度可達(dá)70℃。與線繞電位器相比
產(chǎn)品目錄
品牌 | Balluff/德國(guó)巴魯夫 |
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BALLUFF位移傳感器*
巴魯夫BALLUFF位移傳感器線繞電位器的電阻體由電阻絲纏繞在絕緣物上構(gòu)成,電阻絲的種類很多,電阻絲的材料是根據(jù)電位器的結(jié)構(gòu)、容納電阻絲的空間、電阻值和溫度系數(shù)來(lái)選擇的。電阻絲越細(xì),在給定空間內(nèi)越獲得較大的電阻值和分辨率。但電阻絲太細(xì),在使用過(guò)程中容易斷開,影響傳感器的壽命。金屬膜電位器具有無(wú)限的分辨率,接觸電阻很小,耐熱性好,巴魯夫BALLUFF位移傳感器的滿負(fù)荷溫度可達(dá)70℃。與線繞電位器相比,它的分布電容和分布電感很小,所以特別適合在高頻條件下使用。它的噪聲信號(hào)僅高于線繞電位器。金屬膜電位器的缺點(diǎn)是耐磨性較差,阻值范圍窄,巴魯夫BALLUFF位移傳感器一般在10—100kΩ之間。由于這些缺點(diǎn)限制了它的使用。
BALLUFF位移傳感器*
巴魯夫BALLUFF位移傳感器光電電位器的制作過(guò)程是先在基體上沉積一層硫化鎘或硒化鎘的光電導(dǎo)層,然后在光電導(dǎo)層上再沉積一條電阻體和一條導(dǎo)電電極。在電阻體和導(dǎo)電電極之間留有一個(gè)窄的間隙。平時(shí)無(wú)光照時(shí),電阻體和導(dǎo)電電極之間由于光電導(dǎo)層電阻很大而呈現(xiàn)絕緣狀態(tài)。當(dāng)光束照射在電阻體和導(dǎo)電電極的間隙上時(shí),巴魯夫BALLUFF位移傳感器由于光電導(dǎo)層被照射部位的亮電阻很小,使電阻體被照射部位和導(dǎo)電電極導(dǎo)通,于是光電電位器的輸出端就有電壓輸出,輸出電壓的大小與光束位移照射到的位置有關(guān),從而實(shí)現(xiàn)了將光束位移轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)輸出。
BALLUFF位移傳感器*
由于巴魯夫BALLUFF位移傳感器的輸出阻抗較高,需要配接高輸入阻抗的放大器。盡管光電電位器有著不少的缺點(diǎn),但由于它的優(yōu)點(diǎn)是其它電位器所無(wú)法比擬的,因此在許多重要場(chǎng)合仍得到應(yīng)用。當(dāng)動(dòng)極板繞軸轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)α角時(shí),兩極板的對(duì)應(yīng)面積要減小⊿A,則傳感器的電容量就要減小⊿C。如果我們把這種電容量的變化通過(guò)諧振電路或其它回路方法檢測(cè)出來(lái),巴魯夫BALLUFF位移傳感器就實(shí)現(xiàn)了角位移轉(zhuǎn)換為電量的電測(cè)變換。特點(diǎn)是:平滑性好、分辯力優(yōu)異耐磨性好、壽命長(zhǎng)、動(dòng)噪聲小、可靠性*、耐化學(xué)腐蝕。用于宇宙裝置、飛機(jī)雷達(dá)天線的伺服系統(tǒng)等。位移傳感器:是將康銅絲或鎳鉻合金絲作為電阻體,巴魯夫BALLUFF位移傳感器并把它繞在絕緣骨架上制成。繞線電位器特點(diǎn)是接觸電?阻小,精度高,溫度系數(shù)小,其缺點(diǎn)是分辨力差,阻值偏低,高頻特性差。主要用作分壓器、變阻器、儀器中調(diào)零和工作點(diǎn)等。
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